)郑厚植
物理学家。江苏常州人。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。中国科学院半导体研究所所长、研究员。
在半导体低维物理的系统研究中取得多项先驱性成果。揭示了量子霍耳效应的尺寸效应、霍耳电势分布特性，提出和研究了用分裂栅实现准一维电子气的办法和特性。在空穴多体作用诱导的磁阻现象，各类共振隧穿现象，量子霍耳区的磁阻现象，量子霍耳区的扩散系数，朗道态密度测量和低维激子光谱等方面做出了许多有价值的成果。1995年当选为中国科学院院士。
物理学家。江苏常州人。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。中国科学院半导体研究所所长、研究员。
在半导体低维物理的系统研究中取得多项先驱性成果。揭示了量子霍耳效应的尺寸效应、霍耳电势分布特性，提出和研究了用分裂栅实现准一维电子气的办法和特性。在空穴多体作用诱导的磁阻现象，各类共振隧穿现象，量子霍耳区的磁阻现象，量子霍耳区的扩散系数，朗道态密度测量和低维激子光谱等方面做出了许多有价值的成果。1995年当选为中国科学院院士。
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