亚微米和深亚微米MOS器件

亚微米和深亚微米MOS器件 通常把0.8－0.35um称为亚微米，0.25um及其以下称为深亚微米，0.05um及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、同互连技术等。目前，国际上集成电路的主流生产工艺技术为0.18－0.25um，预计2006年主流加工技术将提高到0.lum，2012年将达到0.05um，进入纳米级。 深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.对...[ 阅读全文]

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