王占国王占国1962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。1980年10月－1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年任半导体所研究员，材料室主任；1990年博士生导师，副所长；从1990年起先后任中科院半导体材料科学实验室主任、学委会主任，国际半导体和半绝缘材料，国际半导体缺陷识别、成像与物理会议等多个顾问委员会委员。从1992年起先后任南京大学、西安交大、山东大学、河南...[ 阅读全文]
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